USB Conn. 耐久性插拔測(cè)試順序

1.Visual and Dimensional inspection   外觀及尺寸檢驗(yàn) 測(cè)試規(guī)格: 外觀及尺寸必須符合規(guī)格

  測(cè)試儀器:

3. Insulation Resistance   絕緣阻抗

  測(cè)試條件: 500vDC/1分鐘

  測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可低於1000MΩ

測(cè)試儀器: 將儀器之測(cè)試夾頭,夾以目視及量測(cè)儀器進(jìn)行檢驗(yàn)

2.Withstanding  耐電壓試驗(yàn)

  測(cè)試條件: 500vAc/0.5mA/1分鐘 

  測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可有超過(guò)漏電流、被擊穿、火花等現(xiàn)象

測(cè)試儀器: 由於Conn.端子兩兩相鄰過(guò)密,不易測(cè)試,因此測(cè)試前先將Conn.之每一端子銲點(diǎn)位置,分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之兩兩相鄰之端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試於所要測(cè)試之兩兩相鄰端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

4.Low Level Contact Resistance    低階電路(端子) 接觸阻抗

  測(cè)試規(guī)格: 每一端子不可超過(guò)30 mΩ

測(cè)試儀器:  將所要測(cè)試Conn.公母配之另一個(gè)Conn.,其每一端子銲點(diǎn)位罝,也分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子,之後即可將Conn.公母匹配後,使用微歐姆機(jī)夾頭夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

5.Durability    耐久性 (試驗(yàn))

  測(cè)試條件: 1500次/每小時(shí)200次

  測(cè)試規(guī)格: 最初及最終值

Mating Force    插入力 : 35 Newtons max.

            Unmating Force  拔出力 : 10 Newtons min.

  測(cè)試儀器: 使用插拔機(jī)及夾治具,調(diào)整完測(cè)試速度後,進(jìn)行測(cè)試

6.Withstanding Voltage   耐電壓試驗(yàn)

  測(cè)試條件: 500vAc/0.5mA/1分鐘 

  測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可有超過(guò)漏電流、被擊穿、火花等現(xiàn)象

測(cè)試儀器: 將儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之兩兩相鄰端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

7. Insulation Resistance   絕緣阻抗

  測(cè)試條件: 500vDC/1分鐘

  測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可低於1000MΩ

測(cè)試儀器: 將儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之兩兩相鄰端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

8.Low Level Contact Resistance    低階電路(端子) 接觸阻抗

  測(cè)試規(guī)格: 每一端子不可超過(guò)30 mΩ

測(cè)試儀器: 先將Conn.公母匹配後,之後即可使用微歐姆機(jī)之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

Group A

      A1. Visual and Dimensional inspection   外觀及尺寸檢驗(yàn)

          測(cè)試規(guī)格: 外觀及尺寸必須符合規(guī)格

          測(cè)試儀器: 以目視及量測(cè)儀器進(jìn)行檢驗(yàn)

A2. Plating Thickness    電鍍層厚度

    測(cè)試規(guī)格: 電鍍層厚度必須符合規(guī)格

    測(cè)試儀器: 使用X-Ray 電鍍膜厚測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

Group B

      B1. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子) 接觸阻抗

          測(cè)試規(guī)格:  6 Socket每一端子不可超過(guò)30 mΩ

                     4 Socket每一端子不可超過(guò)50 mΩ

測(cè)試儀器: 將所要測(cè)試Conn.公母配之另一個(gè)Conn.,其每一端子銲點(diǎn)位罝,也分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子,之後即可將Conn.公母匹配後,使用微歐姆機(jī)夾頭夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

B2. Vibration    振動(dòng)試驗(yàn)

          測(cè)試條件:  6 Socket Frequency range: High-10 to 2000

                                          Peak level: 15g’s ,147.1m/s2

 4 Socket Frequency range: High-10 to 500

                                          Peak level: 10g’s ,98.1m/s2

          測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試中,每一端子中斷不可超過(guò)1μs

測(cè)試儀器:  使用振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

B3. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子) 接觸阻抗

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)B1步驟所量測(cè)之30 mΩ

測(cè)試儀器:  先將Conn.公母匹配後,之後即可使用微歐姆機(jī)之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

B4. Mechanical Shock    機(jī)械衝擊強(qiáng)度試驗(yàn)           

測(cè)試條件:  Peak acceleration: 980 m/s2,100 g’s

Normal duration: 6ms

Velocity change:  Sawtooth 2.96m/s:9.7ft/s

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試中,每一端子中斷不可超過(guò)1μs

測(cè)試儀器:  使用機(jī)械衝擊強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

B5. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子) 接觸阻抗

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)B1步驟所量測(cè)之30 mΩ

測(cè)試儀器:  先將Conn.公母匹配後,之後即可使用微歐姆機(jī)之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

Group C

      C1. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子)接觸阻抗

          測(cè)試規(guī)格:  6 Socket每一端子不可超過(guò)30 mΩ

                     4 Socket每一端子不可超過(guò)50 mΩ

測(cè)試儀器:  將所要測(cè)試Conn.公母配之另一個(gè)Conn.,其每一端子銲點(diǎn)位罝,也分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子,之後即可將Conn.公母匹配後,使用微歐姆機(jī)夾頭夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

C2. Thermal Shock    溫度衝擊試驗(yàn)

          測(cè)試條件:  6 Socket  -65℃ (30分鐘) à 25℃ (5分鐘)à

                             125℃ (30分鐘)à 25℃ (5分鐘) 共5cycles

                    4 Socket  -65℃ (30分鐘)à 25℃ (5分鐘)à

                             105℃ (30分鐘)à 25℃ (5分鐘) 共5cycles

測(cè)試規(guī)格: 測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)C1步驟所量測(cè)之30 mΩ

測(cè)試儀器: 將測(cè)試樣品放入溫度衝擊試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

     C3. Humidity    熱濕性試驗(yàn)

          測(cè)試條件:  溫度: 40℃,濕度: 90~95%,時(shí)間: 96小時(shí)

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)C1步驟所量測(cè)之30 mΩ

測(cè)試儀器: 將測(cè)試樣品放入熱濕性試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

Group D

      D1. Withstanding Voltage   耐電壓試驗(yàn)

          測(cè)試條件: 6 Socket  500VDC/0.5mA/1分鐘

                   4 Socket  100VDC/0.5mA/1分鐘

          測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可有超過(guò)漏電流、被擊穿、火花等現(xiàn)象

測(cè)試儀器: 由於Conn.端子兩兩相鄰過(guò)密,不易測(cè)試,因此測(cè)試前先將Conn.之每一端子銲點(diǎn)位置,分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之兩兩相鄰之端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

      D2. Thermal Shock    溫度衝擊試驗(yàn)

          測(cè)試條件:  -55℃ (30分鐘)à 25℃ (5分鐘)à 85℃ (30分鐘)à

                          25℃ (5分鐘) 共10 cycles

          測(cè)試規(guī)格: 測(cè)試完後,不可有斷裂及破裂現(xiàn)象

測(cè)試儀器: 將測(cè)試樣品放入溫度衝擊試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

D3. Insulation Resistance   絕緣阻抗

          測(cè)試條件: 6 Socket  500vDC/1分鐘

                   4 Socket  100vDC/1分鐘

          測(cè)試規(guī)格: 兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可低於100MΩ

測(cè)試儀器: 將儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之兩兩相鄰之端子,之後即可使用耐壓絕緣測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試

D4. Humidity    熱濕性試驗(yàn)

          測(cè)試條件:  濕度: 90~95%,溫度: 25-65℃(2.5小時(shí))à65℃(3小時(shí))à

                         65-25℃(2.5小時(shí))à 25-65℃(2.5小時(shí))à

65℃(3小時(shí))à 65-25℃(2.5小時(shí))à 25℃(8小時(shí))à

共4cycles

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其絕緣阻抗兩兩相鄰之端子及端子對(duì)鐵殼不可低於100MΩ

測(cè)試儀器:  將樣品放入熱濕性試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)試

Group E

      E1. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子)接觸阻抗

          測(cè)試規(guī)格:  6 Socket每一PIN端子不可超過(guò)30 mΩ

                    4 Socket每一PIN端子不可超過(guò)50 mΩ

測(cè)試儀器:  將所要測(cè)試Conn.公母配之另一個(gè)Conn.,其每一端子銲點(diǎn)位罝,也分別銲上小於26Awg之線材約9.5mm長(zhǎng),以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子,之後即可將Conn.公母匹配後,使用微歐姆機(jī)夾頭夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

E2. Continuity    低階電路(端子)接觸阻抗對(duì)PCB

          測(cè)試規(guī)格:  每一端子到PCB不可超過(guò)50 mΩ

測(cè)試儀器:  將Socket銲於PCB上,以利儀器之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子,之後即可使用微歐姆機(jī)進(jìn)行測(cè)試

E3. Durability    耐久性 (試驗(yàn))

          測(cè)試條件:  6 Socket 750次/每小時(shí)500次

                    4 Socket 500次/每小時(shí)500次

          測(cè)試儀器: 使用插拔機(jī)及夾治具,調(diào)整完測(cè)試速度後,進(jìn)行測(cè)試

E4. Low Level Contact Resistance    低階電路(端子)接觸阻抗

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)E1步驟所量測(cè)之30 mΩ

測(cè)試儀器:  先將Conn.公母匹配後,之後即可使用微歐姆機(jī)之測(cè)試夾頭,夾於所要測(cè)試之端子進(jìn)行測(cè)試

E5. Continuity    低階電路(端子)接觸阻抗對(duì)PCB

          測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)E1步驟所量測(cè)之50 mΩ

測(cè)試儀器:  使用微歐姆機(jī)進(jìn)行測(cè)試

E6. Mixed Flowing Gas (略過(guò))

E7. Durability    耐久性 (試驗(yàn))

         測(cè)試條件:  6 Socket 750次/每小時(shí)500次

                   4 Socket 500次/每小時(shí)500次

測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)E1步驟所量測(cè)之30 mΩ

         測(cè)試儀器: 使用插拔機(jī)及夾治具,調(diào)整完測(cè)試速度後,進(jìn)行測(cè)試

E8. Mixed Flowing Gas (略過(guò))

E9. Continuity    低階電路(端子)接觸阻抗對(duì)PCB

          測(cè)試規(guī)格:  測(cè)試完後,其接觸阻抗每一端子變動(dòng)增加量,不可超過(guò)E1步驟所量測(cè)之50 mΩ

測(cè)試儀器:  使用微歐姆機(jī)進(jìn)行測(cè)試

是不錯(cuò)的東西,頂一下

謝謝分享~！樓主不錯(cuò)，呵呵~！

請(qǐng)問(wèn)下樓主，還有沒(méi)有DC連接線的相關(guān)資料。。。

ABCDE是什么意思啊???

是USB的種類吧???/有什么區(qū)別??

還行，但我想知道在測(cè)耐壓和低階阻抗時(shí)加焊輔助線為什么是26AWG線，9.5mm呢？