7
G3 絕緣屏蔽
G3.1 在絕緣擠包半導電屏蔽層時,半導電層應均勻地包覆在絕緣上,表面應光滑,不應有尖角 、顆粒、煉焦或擦傷的痕跡。
G3.2 額定電壓 Uo 為 12 kV 及以下半導電屏蔽絕緣層應采用可剝離的非金屬半導電層。
以上是GB/12706-2002版附錄G中的原話,以下是GB-12706.3-2002中的原話:
7.2 絕緣屏蔽
絕緣屏蔽應是由非金屬半導電層與金屬層組合而成。
每根絕緣線芯上應直接擠包與絕緣線芯緊密結合不可剝離的非金屬半導電層。
然后對每根絕緣線芯或纜芯也可繞包一層半導電帶或擠包半導電料。
金屬屏蔽層在包覆在每根絕緣線芯或纜芯的外面,并應符合第 10 章的規(guī)定
因此我覺得1樓的問題應是肯定的答案
