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　　隨著電力系統(tǒng)容量的增加和自動(dòng)化水平的不斷提高，現(xiàn)在電力系統(tǒng)的二次設(shè)備已經(jīng)廣泛的使用集成電路型或微機(jī)型的保護(hù)裝置，這些保護(hù)裝置的應(yīng)用對(duì)提高系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行是很有用的。但是相應(yīng)的也提出來(lái)一些新的問(wèn)題。比如因?yàn)槲�機(jī)保護(hù)裝置都是采用的電子元件，單片機(jī)來(lái)構(gòu)成的，而它是運(yùn)行在高電壓的環(huán)境下，這就有如何來(lái)抗電磁干擾的問(wèn)題。而以前的常規(guī)電磁式保護(hù)裝置受這方面的影響就不是很明顯。

　　因此在高壓變電所中，所有用于連接由開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入控制室繼電保護(hù)設(shè)備的電流、電壓和直流跳閘等可能由開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入干擾電壓到基于微電子器件的繼電保護(hù)的二次回路，都應(yīng)采用帶屏蔽層的控制電纜。高壓變電所內(nèi)為抑制電磁干擾而采用屏蔽電纜，其屏蔽層如何正確接地對(duì)降低外部電磁場(chǎng)對(duì)微機(jī)型二次設(shè)備的干擾水平，起著重要作用。

　　屏蔽電纜的干擾源再外導(dǎo)線(xiàn)中電流產(chǎn)生的磁通以虛線(xiàn)同心圓表示，這些磁通的一部分包圍屏蔽電纜芯和其屏蔽層(可近似認(rèn)為包圍這兩種的磁通相等)，稱(chēng)為干擾磁通，如圖1(a)所示。它在電纜芯和屏蔽層中感生一電勢(shì)Es(。)，產(chǎn)生屏蔽層電流Is(。)，如圖1(b)所示。電勢(shì)Es(。)等于屏蔽層電流在屏蔽層電阻Rs和自感抗上Xs的電壓降落，即：

　　Es(。)= Is(。)Rs+jIs(。)Xs

　　屏蔽層電流所產(chǎn)生的磁通包圍著屏蔽層，也全部包圍著電纜芯，這些磁通和外導(dǎo)線(xiàn)產(chǎn)生的干擾磁通方向相反，故稱(chēng)為反向磁通，在圖1(a)中以實(shí)線(xiàn)同心圓表示。按電磁感應(yīng)原理可知，在理想情況下，如果屏蔽層電阻為零，這種反向磁通可將干擾磁通全部抵消，即反向磁通在電纜芯中產(chǎn)生的互感電動(dòng)勢(shì)Er(。)和干擾磁通在電纜芯中感應(yīng)的電動(dòng)勢(shì)Es(。)大小相等，方向相反。設(shè)屏蔽層對(duì)電纜芯的互感抗為Xm，則：

　　Er(。)=-jIs(。)Xm

　　因屏蔽層將電纜芯完全包圍在內(nèi)，故Xm=Xs。從上式可看出，如果屏蔽層電阻Rs=0，則Es(。)=- Er(。)。但是屏蔽層不可能沒(méi)有電阻，故干擾磁通在電纜芯中感應(yīng)的電動(dòng)勢(shì)不能被抵消的部分為Es(。)+ Er(。)= Is(。)Rs，即與屏蔽層的電阻成正比。因此，要有效地消除電磁耦合的干擾，就必須采用電阻系數(shù)小的材料如銅、鋁等做成屏蔽層。

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